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HIPiMS技術(shù)高能磁控電源輸出線有什么注意事項(xiàng)？
一、電源輸出線離腔體盡量近，電源線盡量短為了保證脈沖電流波形引入到真空腔體時(shí)波形不畸變，且衰減小。期望在系統(tǒng)中，脈沖電鍍電源與真空腔體的距離2-3m為佳，長(zhǎng)線易對(duì)脈沖電流波形的上升、下降沿產(chǎn)生較大的影響，真空腔體打火時(shí)，滅弧效果有影響。二、正負(fù)極導(dǎo)線使用同軸線纜或者雙絞屏蔽脈沖電源的輸出銜接，導(dǎo)線間的電感效應(yīng)越小越好。因而陰、陽(yáng)極導(dǎo)線最好的辦法就是同軸無(wú)感線纜。
耗散功率竟然能影響銅濺射等離子體的行為！
本文研究了在銅濺射等離子體中耗散功率對(duì)其影響的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。通過(guò)光發(fā)射光譜技術(shù)進(jìn)行測(cè)量，探討了耗散功率對(duì)銅濺射等離子體的物理特性和行為的影響。
通過(guò)實(shí)驗(yàn)結(jié)果發(fā)現(xiàn)，耗散功率的增加導(dǎo)致銅濺射等離子體中的電子溫度和密度的增加。此外，還觀察到了濺射過(guò)程中的輻射特性和粒子輸運(yùn)行為的變化。
一文讀懂濺射沉積技術(shù)
濺射鍍膜是指在真空室中，利用荷能粒子轟擊靶材表面，通過(guò)粒子動(dòng)量傳遞打出靶材中的原子及其它粒子，并使其沉淀在基體上形成薄膜的技術(shù)。濺射鍍膜技術(shù)具有可實(shí)現(xiàn)大面積快速沉積，薄膜與基體結(jié)合力好，濺射密度高、針孔少，膜層可控性和重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn)，而且任何物質(zhì)都可以進(jìn)行濺射，因而近年來(lái)發(fā)展迅速，應(yīng)用廣泛。
真空鍍膜和電鍍的區(qū)別
真空鍍膜和電鍍都是常見(jiàn)的表面處理技術(shù)，用于改善物體外觀和性能。它們有一些共同點(diǎn)，但也存在著一些明顯的區(qū)別。下面我將詳細(xì)介紹這兩種技術(shù)的區(qū)別。
HiPIMS：簡(jiǎn)單的方法就能調(diào)控磁控濺射中的金屬/氣體離子比？
1）磁控濺射：HiPIMS中簡(jiǎn)單的脈寬變化，就能調(diào)控膜層中的金屬/氣體離子比。
2）常規(guī)的磁控靶換成HiPIMS電源就可以達(dá)到上述效果。
不平凡的釩靶HiPIMS（放電區(qū)直徑約３０ｍｍ放電電流達(dá)１４０Ａ）
金屬釩（V）作為一種高熔點(diǎn)的稀有金屬材料，常與鈮、鉭、鎢、鉬并稱為難熔金屬。金屬釩具有耐鹽酸和硫酸的性能，并且耐氣-鹽-水腐蝕的性能要比大多數(shù)不銹鋼好。在某些特殊的重要場(chǎng)合，金屬V薄膜常被用來(lái)作為高溫隔離防護(hù)涂層，因此開(kāi)展V靶HIPIMS放電特性方面的研究工作具有重要的意義。
6種靶材HiPIMS放電大不相同，設(shè)計(jì)工藝要知道!
HiPIMS放電，由于工作在放電曲線的特殊區(qū)域，其放電特性不僅依賴于使用的氣壓、電壓，更依賴于靶材。更由于HiPIMS工作模式是脈沖工作，其放電特性具有時(shí)間特征，而表現(xiàn)出不同的放電特性。這里我們選用常用的幾種靶材（Cu，Cr，Mo，Ti，V和C），給出了他們的放電特性。這種與時(shí)間相關(guān)的放電特性，對(duì)于工藝設(shè)計(jì)是非常重要的。
雙脈沖HiPIMS比傳統(tǒng)HiPIMS沉積速率提高近3倍
一種新型的高功率脈沖磁控濺射(HiPIMS)技術(shù)，即放電由脈寬短、電壓高的引燃脈沖和脈寬長(zhǎng)、電壓低的工作脈沖2部分組成的雙脈沖高功率脈沖磁控濺射技術(shù)，目的是解決傳統(tǒng)高功率脈沖磁控濺射沉積速率低的問(wèn)題。