18922924269
語言切換 
中文
HIPIMS放電等離子體特性
通過脈沖電源產生高密度等離子體來濺射靶材，從而在基材上沉積高質量的薄膜。HIPIMS技術相比于傳統(tǒng)的直流磁控濺射技術，能夠提供更高的離子化率、更好的薄膜質量和更強的薄膜與基底間的附著力。下面我們來探討HIPIMS放電等離子體的主要特性。
HIPIMS技術沉積TiSiN納米復合涂層探究
HIPIMS（High Power Impulse Magnetron Sputtering，高功率脈沖磁控濺射）薄膜沉積方法，它在沉積TiSiN納米復合涂層方面展現出顯著的優(yōu)勢。與傳統(tǒng)的直流磁控濺射（DCMS）技術相比，
hipims脈沖電源與DC優(yōu)勢
HiPIMS（High Power Impulse Magnetron Sputtering）脈沖電源與DC（Direct Current）電源相比，在多個方面展現出顯著的優(yōu)勢。以下是對這些優(yōu)勢的詳細分析：
HIPIMS技術在金屬雙極板涂層中的應用
HIPIMS技術，即高功率脈沖磁控濺射技術（High Power Impulse Magnetron Sputtering），在金屬雙極板涂層中的應用具有顯著的優(yōu)勢
利用HiPIMS制備出的Ti-Si-N薄膜硬度可以達到66GPa！
Ti-Si-N是被認為是一種高硬度的膜層，Veprek（1999）提出了一種結構模型，認為是非晶包含納米晶結構。這有點類似于我們見到的瀝青和石頭混合路面結構。這里的納米晶尺寸和非晶含量的多少是很講究的。
HiPIMS技術解決碳基涂層
HiPIMS（High Power Impulse Magnetron Sputtering）技術是一種先進的物理相沉積（PVD）技術，廣泛用于解決碳基涂層的相關問題。碳基涂層是一種重要的功能性涂層，應用于各種工業(yè)領域，包括刀具、模具、汽車零部件等。下面將詳細介紹HiPIMS技術如何解決碳基涂層的問題。