耗散功率竟然能影響銅濺射等離子體的行為！

　　本文研究了在銅濺射等離子體中耗散功率對其影響的實驗結(jié)果。通過光發(fā)射光譜技術(shù)進行測量，探討了耗散功率對銅濺射等離子體的物理特性和行為的影響。

　　通過實驗結(jié)果發(fā)現(xiàn)，耗散功率的增加導致銅濺射等離子體中的電子溫度和密度的增加。此外，還觀察到了濺射過程中的輻射特性和粒子輸運行為的變化。

　　本研究還對銅濺射等離子體中的耗散功率與濺射過程參數(shù)之間的關(guān)系進行了分析。結(jié)果表明，耗散功率與濺射速率和濺射效率之間存在著一定的關(guān)聯(lián)。此外，還研究了濺射過程中的能量傳輸和粒子輸運機制。如圖1所示，通過改變氬氣/反應(yīng)氣混合物的組成，可以控制薄膜相組成由金屬Cu變?yōu)镃uO。

　　圖1. XRD衍射圖，在不同濃度的氬氣/氧氣混合物下獲得的樣品：a 100% Ar + 0% O2, b 90% Ar + 10% O2, c 80% Ar + 20% O2, d 0% Ar + 100% O2。用VESTA軟件模擬a Cu、b Cu2O和c、d CuO相的晶胞.

　　通過改變氬氣/反應(yīng)氣體混合物的組成，可以控制薄膜的化學計量組成，從金屬Cu到Cu2O和CuO。發(fā)射光譜法可以很容易地適應(yīng)于任何磁控濺射沉積室，而不會干擾真空系統(tǒng)，提供了控制沉積膜的相、透射率和其他參數(shù)的可能性，這使得該方法在氧化銅沉積過程中非常有用。

　　Kevin low, Nafarizal nayan, et al. Influence of dissipation power in copper sputtering plasma measured by optical emission spectroscopy, Advanced Materials Research, 832 (2014) 243-