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光學(xué)膜層厚度的控制方法
在光學(xué)薄膜的制備過(guò)程中，控制膜層厚度至關(guān)重要，它直接影響到薄膜的光學(xué)性能，比如反射率、透射率以及特定波長(zhǎng)的選擇透過(guò)性等。以下是幾種常見(jiàn)的光學(xué)膜層厚度控制方法。
高功率脈沖磁控濺射HiPIMS的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)與多樣化應(yīng)用
高功率脈沖磁控濺射（HiPIMS）作為一種薄膜制備技術(shù)，近年來(lái)在材料科學(xué)與工程領(lǐng)域嶄露頭角。HiPIMS通過(guò)在傳統(tǒng)磁控濺射基礎(chǔ)上施加高功率脈沖電源，實(shí)現(xiàn)了對(duì)濺射過(guò)程的控制，從而展現(xiàn)出一系列獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。
納米鍍膜關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)有哪些？
納米鍍膜技術(shù)以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)在眾多領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景，然而，其發(fā)展過(guò)程中也面臨著諸多關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)。
離子鍍膜離子能量怎樣影響膜層？
在離子鍍膜過(guò)程中，離子能量作為關(guān)鍵參數(shù)，對(duì)膜層結(jié)構(gòu)與性能有著舉足輕重的影響。當(dāng)離子能量較低時(shí)，離子抵達(dá)基體表面時(shí)動(dòng)能不足，無(wú)法在表面充分?jǐn)U散遷移，致使膜層晶粒細(xì)小，結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)疏松多孔的柱狀生長(zhǎng)形態(tài)
新型的真空鍍膜技術(shù)和材料的研究進(jìn)展如何？
原子層沉積（ALD）技術(shù)：具有原子級(jí)的厚度控制精度和優(yōu)異的膜層均勻性，可在復(fù)雜形狀的基底上實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量鍍膜。目前在半導(dǎo)體、微電子等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，如用于制備高介電常數(shù)的超薄絕緣層，以提高晶體管性能和降低功耗
真空鍍膜過(guò)程中可能出現(xiàn)哪些缺陷
針孔是真空鍍膜中較為常見(jiàn)的問(wèn)題。這主要是由于鍍膜材料在沉積過(guò)程中，基片表面的微小雜質(zhì)、灰塵或者氣體殘留所導(dǎo)致。例如，在蒸發(fā)鍍膜時(shí)，如果基片清洗不夠徹底，表面殘留的顆粒會(huì)使鍍膜材料在其周?chē)鸁o(wú)法均勻沉積，形成針孔。