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新型的真空鍍膜技術和材料的研究進展如何？
原子層沉積（ALD）技術：具有原子級的厚度控制精度和優(yōu)異的膜層均勻性，可在復雜形狀的基底上實現(xiàn)高質量鍍膜。目前在半導體、微電子等領域應用廣泛，如用于制備高介電常數(shù)的超薄絕緣層，以提高晶體管性能和降低功耗
真空鍍膜過程中可能出現(xiàn)哪些缺陷
針孔是真空鍍膜中較為常見的問題。這主要是由于鍍膜材料在沉積過程中，基片表面的微小雜質、灰塵或者氣體殘留所導致。例如，在蒸發(fā)鍍膜時，如果基片清洗不夠徹底，表面殘留的顆粒會使鍍膜材料在其周圍無法均勻沉積，形成針孔。
高能脈沖PVD技術相比傳統(tǒng)PVD有何優(yōu)勢？
致密度更高：高能脈沖PVD在沉積過程中，能夠產生高密度的等離子體，使沉積粒子具有更高的能量，從而在基底上形成更致密的膜層。例如，在制備硬質涂層時，其形成的膜層結構更加緊密
高能脈沖PVD技術可以制備哪些膜層？
如氮化鈦（TiN）膜層。TiN具有高硬度、良好的耐磨性和化學穩(wěn)定性。在刀具涂層領域應用廣泛，通過高能脈沖PVD技術制備的TiN膜層，能夠顯著提高刀具的使用壽命。
2024大灣區(qū)高能脈沖PVD高峰論壇在松山湖材料實驗室成功舉辦
12月14日，由松山湖材料實驗室、哈爾濱工業(yè)大學材料結構精密焊接與連接全國重點實驗室以及等離子體放電團隊孵化的高能脈沖PVD電源企業(yè)新鉑科技(東莞)有限公司聯(lián)合主辦的“2024大灣區(qū)高能脈沖PVD高峰論壇”在松山湖材料實驗室會議中心成功舉行。