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陰極弧放電不同反應(yīng)氣體等離子體對陰極的腐蝕研究
陰極弧放電已被經(jīng)常用于沉積不同的金屬膜，除常用的Ar用于直接濺射靶材沉積相應(yīng)的金屬薄膜外，含氮、含氧的薄膜也經(jīng)常在沉積過程中通過摻入O2和N2進(jìn)行放電來獲得。不同于單質(zhì)Ar等離子體放電，N2與O2屬于反應(yīng)性氣體，等離子體過程更加復(fù)雜，因此在陰極弧表面形成不同的放電形式。
真空鍍膜技術(shù)的基本原理
真空鍍膜技術(shù)的基本原理
真空鍍膜技術(shù)是氣相物理沉積的方法之一，也稱為真空鍍膜。在真空條件下，涂層材料被蒸發(fā)器加熱升華，蒸發(fā)的顆粒直接流向基底，在基底表面沉積一層固體薄膜。
請問，HiPIMS高能磁控電源輸出線有什么注意事項(xiàng)？
請問，HiPIMS高能磁控電源輸出線有什么注意事項(xiàng)？
一、電源輸出線離腔體盡量近，電源線盡量短
為了保證脈沖電流波引入到真空腔體時波形不畸變，且衰減小。期望在系統(tǒng)中，脈沖電鍍電源與真空腔體的距離2-3m為佳，長線易對脈沖電流波形的上升、下降沿產(chǎn)生較大的影響，真空腔體打火時，滅弧效果有影響。
鍍膜電源在真空鍍膜（磁控濺射）中，脈沖偏壓電源為什么比直流電源好？
真空鍍膜一種由物理方法產(chǎn)生薄膜材料的技術(shù)。在真空室內(nèi)材料的原子從加熱源離析出來打到被鍍物體的表面上。
鍍膜工藝生產(chǎn)和質(zhì)量控制要點(diǎn)
早期真空鍍膜是依靠蒸發(fā)體自然散射，結(jié)合差工效低光澤差?，F(xiàn)在加上中頻磁控濺射靶用磁控射靶將膜體的蒸發(fā)分子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜，解決了過去自然蒸發(fā)無法加工的膜體品種，如鍍鈦鍍鋯等等。
影響真空鍍膜性能的因素有哪些？
蒸發(fā)速率的大小對沉積膜層的影響比較大。由于低的沉積速率形成的涂層結(jié)構(gòu)松散易產(chǎn)大顆粒沉積，為保證涂層結(jié)構(gòu)的致密性，選擇較高的蒸發(fā)速率是十分安全的。
HiPMS利器新應(yīng)用-高熵合金薄膜制造
高熵合金氮化物薄膜是一種基于高熵合金設(shè)計理念的產(chǎn)物，在熱力學(xué)和動力學(xué)上可以分別具有更低的吉布斯自由能和更小的元素擴(kuò)散速率，抑制了金屬間化合物有序相的生成，促進(jìn)簡單固溶體結(jié)構(gòu)甚至非晶相的形成。
高功率脈沖磁控濺射技術(shù)（上）
高功率脈沖磁控濺射(HiPIMS)，由Kouznetsov1等人于1999年提出，是在脈沖功率技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種極有前途的磁控濺射技術(shù)。