18922924269
語言切換 
中文
HiPIMS：簡(jiǎn)單的方法就能調(diào)控磁控濺射中的金屬/氣體離子比？
1）磁控濺射：HiPIMS中簡(jiǎn)單的脈寬變化，就能調(diào)控膜層中的金屬/氣體離子比。
2）常規(guī)的磁控靶換成HiPIMS電源就可以達(dá)到上述效果。
不平凡的釩靶HiPIMS（放電區(qū)直徑約３０ｍｍ放電電流達(dá)１４０Ａ）
金屬釩（V）作為一種高熔點(diǎn)的稀有金屬材料，常與鈮、鉭、鎢、鉬并稱為難熔金屬。金屬釩具有耐鹽酸和硫酸的性能，并且耐氣-鹽-水腐蝕的性能要比大多數(shù)不銹鋼好。在某些特殊的重要場(chǎng)合，金屬V薄膜常被用來作為高溫隔離防護(hù)涂層，因此開展V靶HIPIMS放電特性方面的研究工作具有重要的意義。
6種靶材HiPIMS放電大不相同，設(shè)計(jì)工藝要知道!
HiPIMS放電，由于工作在放電曲線的特殊區(qū)域，其放電特性不僅依賴于使用的氣壓、電壓，更依賴于靶材。更由于HiPIMS工作模式是脈沖工作，其放電特性具有時(shí)間特征，而表現(xiàn)出不同的放電特性。這里我們選用常用的幾種靶材（Cu，Cr，Mo，Ti，V和C），給出了他們的放電特性。這種與時(shí)間相關(guān)的放電特性，對(duì)于工藝設(shè)計(jì)是非常重要的。
高引燃脈沖新HiPIMS模式下薄膜摩擦系數(shù)可降低到0.25
多層薄膜能顯著改善復(fù)雜環(huán)境下部件的性能和壽命，為獲得性能良好的膜層，研發(fā)團(tuán)隊(duì)提出了一種高引燃脈沖新HiPIMS放電技術(shù)。增加引燃脈沖的個(gè)數(shù)，強(qiáng)化了膜層的結(jié)合力，硬度以及摩擦磨損的性能。
新HiPIMS放電模式制備薄膜表面粗糙度僅為4.123nm
為獲得HiPIMS的高離化率-高沉積速率技術(shù)特征，我們?cè)谘芯恐刑岢鲆环N新型的HiPIMS放電模式，即電-磁場(chǎng)協(xié)同增強(qiáng)HiPIMS技術(shù)，該技術(shù)以外置電場(chǎng)和磁場(chǎng)雙場(chǎng)協(xié)同增強(qiáng)常規(guī)HiPIMS放電，增加濺射粒子離化率，改善薄膜的的沉積速率，制備的膜層性能優(yōu)異。
雙脈沖HiPIMS比傳統(tǒng)HiPIMS沉積速率提高近3倍
一種新型的高功率脈沖磁控濺射(HiPIMS)技術(shù)，即放電由脈寬短、電壓高的引燃脈沖和脈寬長、電壓低的工作脈沖2部分組成的雙脈沖高功率脈沖磁控濺射技術(shù)，目的是解決傳統(tǒng)高功率脈沖磁控濺射沉積速率低的問題。