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多孔陶瓷材料的等離子體滲透性研究
氧化鋅（ZnO）作為一種高帶隙半導體，以其出色的化學穩(wěn)定性和生物相容性廣泛應用于氣體傳感和催化等領域，尤其是具有三維多孔骨架結構的t-ZnO。通過控制t‐ZnO的晶體形態(tài)和缺陷結構，可以適應不同的應用，其中就包括對氧化鋅進行等離子體表面改性處理來改善其電導率等性能。為了將三維多孔t‐ZnO的優(yōu)點與等離子體表面改性相結合，必須讓等離子體穿透到多孔骨架結構中。由于高能等離子體會導致聚合物表面C-C和C-H鍵的解離并使C自由基位點上附著新的原子或基團，
鍍膜工藝中的鍍膜界表面預處理是為了什么？
我們都知道納米顆粒由于具有大的表面能，擁有自聚集效應。在一個平坦的表面，表面堆積一層納米顆粒，隨著溫度的上升，一般可能會出現(xiàn)納米顆粒之間的聚集和相互作用。而后才與平坦表面發(fā)生作用。經(jīng)典測試表明，金屬之間的互擴散需要達到材料熔點的80%。
HiPIMS技術和dcMS技術在微孔內(nèi)表面制備TiAlN薄膜的對比
新鉑科技，聚焦高能等離子體表面工程硬件和工藝。
潤滑油常用來提高微成形（金屬沖壓工藝尺寸的小型化）模具的使用壽命與加工精度，但是從污垢處理、產(chǎn)品污染和不穩(wěn)定成型性的角度來看，無潤滑油微成型工藝是行業(yè)的一個強烈需求。
對比陰極弧與HiPIMS對AlTiN沉積膜層的研究
目前制備硬質(zhì)合金涂層主要可采用PVD方式，而PVD沉積除磁控放電外，還有陰極弧放電進行涂層PVD沉積，相比磁控，陰極弧放電結構簡單，已廣泛應用于各種涂層技術的制備，如裝飾鍍層，其工藝沉積速率快。隨著工藝的要求逐漸提高，硬質(zhì)合金涂層在硬度等方面提出了更高的要求，
利用陽極層離子源在管道內(nèi)壁制備類金剛石涂層
陽極層離子源由于其簡單性和將氣體轉(zhuǎn)變?yōu)殡x子束的能力而被廣泛研究，其主要功能是在使用期間360°范圍內(nèi)連續(xù)產(chǎn)生離子束。通過簡單地沿著直管或彎管牽引離子源就可以實現(xiàn)管道內(nèi)壁涂層的制備。利用傳統(tǒng)的物理氣相沉積如直流/射頻磁控濺射和PLD方法制備的類金剛石（DLC）涂層通常包含結構缺陷，如針孔、孔洞和裂紋。
陰極弧放電不同反應氣體等離子體對陰極的腐蝕研究
陰極弧放電已被經(jīng)常用于沉積不同的金屬膜，除常用的Ar用于直接濺射靶材沉積相應的金屬薄膜外，含氮、含氧的薄膜也經(jīng)常在沉積過程中通過摻入O2和N2進行放電來獲得。不同于單質(zhì)Ar等離子體放電，N2與O2屬于反應性氣體，等離子體過程更加復雜，因此在陰極弧表面形成不同的放電形式。
真空鍍膜技術的基本原理
真空鍍膜技術的基本原理
真空鍍膜技術是氣相物理沉積的方法之一，也稱為真空鍍膜。在真空條件下，涂層材料被蒸發(fā)器加熱升華，蒸發(fā)的顆粒直接流向基底，在基底表面沉積一層固體薄膜。
請問，HiPIMS高能磁控電源輸出線有什么注意事項？
請問，HiPIMS高能磁控電源輸出線有什么注意事項？
一、電源輸出線離腔體盡量近，電源線盡量短
為了保證脈沖電流波引入到真空腔體時波形不畸變，且衰減小。期望在系統(tǒng)中，脈沖電鍍電源與真空腔體的距離2-3m為佳，長線易對脈沖電流波形的上升、下降沿產(chǎn)生較大的影響，真空腔體打火時，滅弧效果有影響。