磁控濺射技術分為直流(DC)磁控濺射、中頻(MF)磁控濺射、射頻(RF)磁控濺射，分別有何作用？

磁控濺射可分為直流(DC)磁控濺射、中頻(MF)磁控濺射、射頻(RF)磁控濺射。直流(DC)磁控濺射與氣壓在一定范圍內的濺射提高了電離率(盡可能小保持較高的電離率)，提高了均勻度增加了壓力又保證了薄膜的純度，提高了薄膜的附著力降低了壓力的矛盾，產生了平衡。輝光放電直流濺射系統(tǒng)特點:提供額外的電子源，而不是從目標陰極獲得電子。低壓濺射(壓力小于0.1 pa)。缺點:在較大的平面材料中難以均勻濺射，放電過程難以控制，進而工藝重復性較差。交流磁控濺射可用于單陰極靶材系統(tǒng)，工業(yè)上一般采用雙靶材濺射系統(tǒng);靶材利用率可達到70%以上，靶材具有更長的使用壽命，更快的濺射速率，消除靶材中毒現(xiàn)象。射頻磁控濺射射頻濺射特性-射頻法之所以能產生濺射效應，是因為它能對靶產生自偏置效應。射頻濺射器件的擊穿電壓和放電電壓顯著降低。目標不再需要導電。